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通过实现这一高于液氮温度的阻塞温度，为工研究人员克服了单分子磁体发展道路上的一大挑战，为实现纳米磁体的实际应用奠定了基础。材料牛网专注于跟踪材料领域科技及行业进展，业应用欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，投稿邮箱[email protected]。【成果简介】英国萨塞克斯大学的R.A.Layfield、矩形芬兰于韦斯屈莱大学的A.Mansikkamäki以及中山大学的童明良（共同通讯作者）等合作发表文章，矩形报道了阻塞温度TB高达80K的单分子磁体。
研究人员利用化学手段设计配体框架的策略，连接在单分子磁体中分别缩小了Dy-Cpcent距离以及扩大了Cp-Dy-Cp弯曲角度。2018年12月21日，择提相关成果以题为Magnetichysteresisupto80kelvininadysprosiummetallocenesingle-moleculemagnet的文章在线发表在Science上。
通过对这两个关键结构参数的调控，大灵可以促使单分子磁体在80K这一温度上展现出磁学特性。
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